[发明专利]一种去除碳化硅单晶中空微缺陷内部、及晶片表面有机污染物的方法

权利要求书

1.一种去除碳化硅单晶中空微缺陷内部及晶片表面有机污染物的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将待处理的碳化硅晶体置于密闭空间，对该空间抽真空至真空度为(1E-2)～(1E-5)Pa，保持5～15min，而后向该空间中通入载气至40～120Kpa，保持2～10min；

2)而后对上述空间抽真空至真空度为(1E-2)～(1E-5)Pa，保持5～15min，取还原性气体与载气混合得到第一混合气，在该第一混合气中还原性气体的含量为5～100％(v/v)，而后向上述空间中通入该第一混合气至20～100Kpa，保持1～10min；

3)而后对上述空间抽真空至真空度为(1E-2)～(1E-5)Pa，再加热至1000～1200℃，保持10～30min；

4)取还原性气体与载气混合得到第二混合气，在该第二混合气中还原性气体的含量为5～100％(v/v)，而后向上述空间中通入该第二混合气至10～150Kpa，再加热至1200～1900℃，保持5～30min，而后抽真空；

5)向上述空间中冲入载气至20～100Kpa，维持此压强冷却。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤5)所述冷却的速度为5～10℃/min。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述还原性气体选自氢气、氨气或氯化氢的其中一种或几种。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述载气选自氮气、惰性气体或其混合物。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于所述惰性气体是氩气。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤1)重复2～5次再实施步骤2)。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤2)重复2～5次再实施步骤3)。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤4)重复2～8次再实施步骤5)。