[发明专利]具有用于减小电磁耦合的隔离墙的半导体封装有效

专利信息
申请号: 201410759508.X 申请日: 2014-12-11
公开(公告)号: CN104716107B 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: M·A·希马诺夫斯基;S·K·穆萨;F·A·桑托斯;M·K·沙 申请(专利权)人: 恩智浦美国有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了用于封装包括用于减小电磁耦合的墙的半导体装置(20)的系统及方法。半导体装置具有衬底(74),其上形成第一电路(22)和第二电路(24)彼此靠近。导电材料的隔离墙(50)位于所述第一电路和所述第二电路之间,所述隔离墙被配置来在所述半导体装置的操作期间减小所述第一和第二电路之间的电感耦合。提出了数种类型的隔离墙。
搜索关键词: 具有 用于 减小 电磁 耦合 隔离 半导体 封装
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:衬底;第一电路,位于所述衬底上,并且包括多个电组件;第二电路,位于所述衬底上,并且包括多个电组件;以及隔离墙,位于所述第一电路和所述第二电路之间,所述隔离墙被配置来在所述第一电路和所述第二电路中的至少一个的操作期间减小所述第一电路和所述第二电路之间的电磁耦合;其中所述隔离墙由所述半导体装置的引线框的一部分形成。
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