[发明专利]具有用于减小电磁耦合的隔离墙的半导体封装

说明书

公开了用于封装包括用于减小电磁耦合的墙的半导体装置(20)的系统及方法。半导体装置具有衬底(74)，其上形成第一电路(22)和第二电路(24)彼此靠近。导电材料的隔离墙(50)位于所述第一电路和所述第二电路之间，所述隔离墙被配置来在所述半导体装置的操作期间减小所述第一和第二电路之间的电感耦合。提出了数种类型的隔离墙。

技术领域

本公开通常涉及半导体装置封装，更具体地说，涉及包含了用以减小相邻电路之间的电磁耦合的机制的封装。

背景技术

无线通信系统通常采用功率放大器来增大信号的功率。在无线通信系统中，功率放大器通常是传输链(输出级)中的最后的放大器。高增益、高线性度、稳定性和高水平功率增加效率(即，输出功率和输入功率之间的差对DC功率的比)是理想放大器的特性。

通常，当功率放大器传输峰值输出功率的时候，功率放大器以最大功率效率操作。然而，随着输出功率的减小，功率效率趋于恶化。近来，多赫蒂(Doherty)功率放大器架构已经成为关注焦点，不仅是对基站，而且对于移动终端也是如此，这是由于其架构的高功率增加效率。

多赫蒂功率放大器包括两个或更多个放大器，例如载波放大器和峰值放大器。这些放大器并联连接，其输出通过偏移传输线接合，其执行阻抗变换。随着载波放大器饱和，峰值放大器传递电流，从而减小了在载波放大器输出处看到的阻抗。因此，由于“负载牵引”效应，在载波放大器饱和的同时，载波放大器向负载传送更多的电流。由于载波放大器保持接近饱和，多赫蒂功率放大器能够传输峰值输出功率，从而系统的总效率仍保持相对较高。

这样的功率放大器通常被制作在单一半导体封装中。然而，该电路架构在半导体封装设计方面呈现出挑战。当前的多赫蒂功率放大器半导体封装设计要求使用分立的装置和集成电路，其可能涉及一个装置包括载波放大器而分开的装置包括峰值放大器。这些分立装置在封装中保持相距一定距离，以限制可能在载波和峰值放大器之间发生的串扰问题。

遗憾的是，在封装中在放大器之间保持间隔距离限制了半导体封装小型化的可能性。在对于许多不同应用，低成本、低重量、小体积成为重要的封装属性的情况下，限制小型化是不期望的。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体装置，包括：衬底；第一电路，位于所述衬底上，并且包括多个电组件；第二电路，位于所述衬底上，并且包括多个电组件；以及隔离墙，位于所述第一电路和所述第二电路之间，所述隔离墙被配置来在所述第一电路和所述第二电路中的至少一个的操作期间减小所述第一电路和所述第二电路之间的电磁耦合。

根据本公开的另一个实施例，提供了一种多赫蒂放大器，包括：衬底；位于所述衬底上的载波放大器；位于所述衬底上并与所述载波放大器相邻的峰值放大器；以及由导电材料形成并位于所述载波放大器和所述峰值放大器之间的隔离墙，所述隔离墙被配置来在所述多赫蒂放大器的操作期间减小所述载波放大器和所述峰值放大器之间的电磁耦合。

根据本公开的另一个实施例，提供了一种制作半导体装置的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一电路；在衬底上形成与所述第一电路相邻的第二电路；以及在所述第一电路和所述第二电路之间设置导电材料的隔离墙，所述隔离墙被配置来在所述半导体装置的操作期间减小所述第一电路和所述第二电路之间的电磁耦合。

附图说明

本公开通过示例和实施例来说明，并且并且本公开不受附图所限制，在附图中，相同的参考符号表示相似的元件。为了图示说明的简单和清晰的目的，附图示出了构建的一般方式，并且公知的特征和技术的描述和细节可以被省略以避免不必要地模糊本发明。实际上，附图中一些元件或区域的大小相对于其它元件或区域可以被夸大以提高对装置实施例的理解。附图连同详细描述被并入并形成说明书的一部分，并用于进一步说明根据本公开的各种示例、实施例等以及解释各种原则以及优点，在附图中：

图1是位于具有隔离墙的半导体封装中的多赫蒂功率放大器的示例实施例的框图。