[发明专利]一种背接触晶硅电池及其制备方法有效
| 申请号: | 201410758796.7 | 申请日: | 2014-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN105742375B | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
| 发明(设计)人: | 彭东阳 | 申请(专利权)人: | 北京创昱科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人: | 彭秀丽,尹学清 |
| 地址: | 102209 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种背接触晶硅电池及其制备方法,包括硅片基板及设置于硅片基板背面的发射极、基极、发射极电极和基极电极,发射极电极和基极电极分别与发射极和基极对应形成欧姆接触,硅片基板的背面分割为多个独立的重复单元,发射极与基极呈间隔分布于每个重复单元中;在每个重复单元的一端设有与各个发射极电极电连接的发射极汇流条,其另一端设有与各个基极电极电连接的基极汇流条,相邻两重复单元之间通过基极汇流条、发射极汇流条实现互联;本发明还提供了上述背接触晶硅电池的制备方法,通过将硅片基板分割为多个独立的重复单元,然后通过汇流条间的连接,实现各重复单元间的互联,缩短了电极的长度,减少了功率损失,提高了电池的可靠性。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 接触 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种背接触晶硅电池,包括硅片基板及设置于所述硅片基板背面的发射极、基极、发射极电极和基极电极,所述发射极电极和基极电极分别与所述发射极和所述基极对应形成欧姆接触,其特征在于,所述硅片基板的背面分割为多个独立的重复单元,所述发射极与所述基极呈间隔分布于每个所述重复单元中;在每个所述重复单元的一端设有与各个所述发射极电极电连接的发射极汇流条,其另一端设有与各个所述基极电极电连接的基极汇流条,相邻两所述重复单元之间通过所述的基极汇流条、发射极汇流条实现互联;所述硅片基板上设有至少一个用于电连接所述重复单元的柔性互联装置,相邻两个所述重复单元通过所述柔性互联装置实现两所述重复单元间的串并联;所述的柔性互联装置包括柔性支撑衬底、导电连接带和柔性绝缘带,所述导电连接带设置于所述柔性支撑衬底上,所述柔性绝缘带设置于所述导电连接带上,所述柔性绝缘带设置于两所述重复单元的发射极汇流条和/或基极汇流条之间,且所述导电连接带分别与两所述重复单元的发射极汇流条和/或基极汇流条电连接。
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