[发明专利]一种背接触晶硅电池及其制备方法

权利要求书

1.一种背接触晶硅电池，包括硅片基板及设置于所述硅片基板背面的发射极、基极、发射极电极和基极电极，所述发射极电极和基极电极分别与所述发射极和所述基极对应形成欧姆接触，其特征在于，所述硅片基板的背面分割为多个独立的重复单元，所述发射极与所述基极呈间隔分布于每个所述重复单元中；在每个所述重复单元的一端设有与各个所述发射极电极电连接的发射极汇流条，其另一端设有与各个所述基极电极电连接的基极汇流条，相邻两所述重复单元之间通过所述的基极汇流条、发射极汇流条实现互联；所述硅片基板上设有至少一个用于电连接所述重复单元的柔性互联装置，相邻两个所述重复单元通过所述柔性互联装置实现两所述重复单元间的串并联；所述的柔性互联装置包括柔性支撑衬底、导电连接带和柔性绝缘带，所述导电连接带设置于所述柔性支撑衬底上，所述柔性绝缘带设置于所述导电连接带上，所述柔性绝缘带设置于两所述重复单元的发射极汇流条和/或基极汇流条之间，且所述导电连接带分别与两所述重复单元的发射极汇流条和/或基极汇流条电连接。

2.根据权利要求1所述的背接触晶硅电池，其特征在于，所述的发射极和基极的外表面上均设有钝化层或氧化层，所述钝化层或氧化层上成型有与所述的发射极和基极相连通的开口，所述的发射极电极和基极电极均设置于所述开口内并分别与所述的发射极和基极对应连接。

3.根据权利要求2所述的背接触晶硅电池，其特征在于，所述的基极电极与发射极电极之间断开且形成叉指状的结构，发射极电极的栅线宽度大于等于所述基极电极的栅线宽度。

4.根据权利要求3所述的背接触晶硅电池，其特征在于，所述的发射极电极的栅线宽为100～200μm，基极电极的栅线宽为50～100μm，发射极汇流条和基极汇流条的宽度为0.5～1mm。

5.根据权利要求1所述的背接触晶硅电池，其特征在于，所述的支撑衬底是热塑性层和柔性薄膜的复合结构；所述柔性薄膜的厚度为10～100μm，所述热塑性层的厚度为10～100μm，所述导电连接带和绝缘带的厚度均为1～50μm。

6.根据权利要求1所述的背接触晶硅电池，其特征在于，所述硅片基板的正面还设有浅掺杂区，所述浅掺杂区内形成正表面电场。

7.根据权利要求1所述的背接触晶硅电池，其特征在于，所述的重复单元呈条状、方块状或六边形状。

8.一种背接触晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤一，在硅片基板的正面通过制绒的方法形成随机金字塔结构；

步骤二，在硅片基板的正面通过离子注入方法形成正表面电场，在硅片基板的背面划分成多个独立的重复单元区域，每个重复单元区域上形成间隔分布的发射极和基极；

步骤三，在硅片基板的正面形成减反层，在硅片基板的背面的发射极和基极上形成钝化层或氧化层；

步骤四，在钝化层或氧化层上制作发射极电极和基极电极，使其分别与步骤二中的发射极和基极形成欧姆接触；

步骤五，将同一个重复单元中的多个发射极电极通过发射极汇流条连接，将多个基极电极通过基极汇流条连接；

步骤六，按照步骤二中划分好的重复单元区域将所述硅片分割为多个独立的重复单元，将各重复单元中的基极汇流条、发射极汇流条进行互联，制得背接触晶硅电池，具体方法是：

在相邻两重复单元区域之间的对应位置设置柔性互联装置；将两重复单元区域分割开，形成重复单元；

所述柔性互联装置包括柔性支撑衬底、导电连接带和柔性绝缘带，所述导电连接带设置于所述柔性支撑衬底上，所述柔性绝缘带设置于所述导电连接带上，所述柔性绝缘带设置于两所述重复单元的发射极汇流条和/或基极汇流条之间，且所述导电连接带分别与两所述重复单元的发射极汇流条和/或基极汇流条电连接。

9.根据权利要求8所述的背接触晶硅电池的制备方法，其特征在于，

所述步骤二中的在钝化层或氧化层上制作发射极电极和基极电极，其具体方法是：使用激光或者掩膜后的湿法刻蚀在硅片基板背面所形成的钝化层上进行开口，发射极电极和基极电极设置于开口内并与发射极和基极对应连接。

10.根据权利要求8所述的背接触晶硅电池的制备方法，其特征在于，

所述步骤二中的多个重复单元区域呈条状、方块状或六边形状排列。

11.根据权利要求8所述的背接触晶硅电池的制备方法，其特征在于，采用激光划刻方法或线切割划刻方法将相邻两重复单元区域分割开。