[发明专利]一种VDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410758728.0 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104392932A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 郑莹;吴会利;马洪江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种VDMOS器件的制造方法包括在衬底的外延层表面形成沟槽，在所述沟槽内沉积体内氧化层，在所述外延层之上形成栅极，所述栅极与所述体内氧化层接界，在所述外延层上，以与所述体内氧化层间隔一段距离的方式在所述体内氧化层的相对两侧形成源极，在所述衬底上形成漏极。另外，还提供了采用上述方法制造的VDMOS器件。本发明提供的VDMOS器件及其制造方法只需在外延层表面刻蚀沟槽，将体内氧化层沉积在沟槽内，无需改变器件的外部结构和形状，可以采用常规方式集成。在不影响器件反向击穿电压的情况下，有效的降低器件的FOM值，提高其动态性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS器件的制造方法，包括：a.在衬底的外延层表面形成沟槽；b.在所述沟槽内沉积体内氧化层；c.在所述外延层之上形成栅极，所述栅极与所述体内氧化层接界；d.在所述外延层上，以与所述体内氧化层间隔一段距离的方式在所述体内氧化层的相对两侧形成源极；e.在所述衬底上形成漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十七研究所，未经中国电子科技集团公司第四十七研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410758728.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种表带触指式热传导装置
- 下一篇：嵌入式碳化硅的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
