[发明专利]一种VDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410758728.0 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104392932A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 郑莹;吴会利;马洪江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种VDMOS器件的制造方法，包括：
a.在衬底的外延层表面形成沟槽；
b.在所述沟槽内沉积体内氧化层；
c.在所述外延层之上形成栅极，所述栅极与所述体内氧化层接界；
d.在所述外延层上，以与所述体内氧化层间隔一段距离的方式在所述体内氧化层的相对两侧形成源极；
e.在所述衬底上形成漏极。
2.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制造方法，其中，在步骤b中，沿所述外延层的宽度方向布置彼此间隔的多个体内氧化层，在步骤d中，沿所述外延层的长度方向在所述多个体内氧化层的相对两侧形成所述源极。
3.根据权利要求2所述的VDMOS器件的制造方法，其中，所述多个体内氧化层彼此之间的间隔距离相等或不等。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的VDMOS器件的制造方法，其中，在步骤c中，所述栅极与所述体内氧化层接界区域的面积基本占所述栅极面积的一半。
5.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制造方法，其中，所述步骤d包括：
在所述外延层表面形成阱，所述阱的深度与所述沟槽深度相同；
在所述阱内形成源区。
6.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制造方法，其中，在所述步骤a中，所述沟槽的侧壁与底壁之间的夹角为90～100°。
7.一种利用如权利要求1-6中任一项所述的方法制造的VDMOS器件，所述VDMOS器件包括：
衬底；
位于所述衬底底部的漏极；
位于所述衬底上部的外延层；
位于所述外延层表面的槽沟，所述槽沟内沉积有体内氧化层；
位于所述外延层上，以与所述体内氧化层间隔一段距离的方式布置在所述体内氧化层相对两侧的源极；以及
位于所述外延层之上的栅极，所述栅极与所述体内氧化层接界。
8.根据权利要求7所述的VDMOS器件，其中，所述体内氧化层与所述栅极的贴合面积基本占所述栅极面积的一半。
9.根据权利要求8所述的VDMOS器件，其中，所述体内氧化层具有多个，所述多个体内氧化层沿所述外延层的宽度方向间隔布置，所述源极沿所述外延层的长度方向设置在所述多个体内氧化层的相对两侧。
10.根据权利要求9所述的VDMOS器件，其中，所述多个体内氧化层间隔距离相等或不等。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
