[发明专利]一种半导体双向功率器件的结构

摘要

本发明公开了一种半导体双向功率器件的结构，包括以下特征：每一端的有源区最少由两种不同的单元组成，其中一种单元是MOS管，中有N+区，P型基区和N型缓冲区，N+区与N型缓冲区的连接由栅极控制；另一单元是在关断时提供电子通道，表面电极透过接触孔开口与P型基区接触处为电子通道出口，由接触处至N型缓冲区附近没有P+区阻挡电子流通，在P型基区与N型基区之间有一浓度约为1e¹⁵cm^-3至1e¹⁷cm^-3和厚度约为1至8um的N型缓冲区用以阻挡耗尽层在高压反偏置时会触碰到P型基区。

主权项

一种半导体双向功率器件的结构包括以下部分：(1)有两端，每端的表面都有终端区和有源区，某一端的终端区和有源区与另一端的终端区和有源区可以相同，也可以不相同；(2)任一端的有源区至少由两种不同的单元组成；第一种单元的表面结构是绝缘栅双极晶体管(IGBT)的表靣结构，第二种单元是电子通道结构，电子通道在关断时提供通道，让电子迅速流走至表面电极而被带走，电子通道的表面电极与IGBT的表面电极(此电极不是栅极，是电流可以流通的电极)是连在一起，组成可以让电流流通的电极。