[发明专利]一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法有效
| 申请号： | 201410738867.7 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104496485A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 丁军;祝洪喜;李光强;邓承继;柴志南;李君 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/565;C04B35/626;C01B21/068 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法。技术方案一：以20~30wt%的单质硅和70~80wt%的碱金属无机盐为原料，再外加所述原料0~3wt%的催化剂，混合，干燥；然后在氮气气氛和1200~1400℃条件下保温2~5h，自然冷却，洗涤，制得氮化硅粉体。技术方案二：以5~15wt%的含硅源的物质、70~80wt%的碱金属无机盐和5~15wt%的碳黑为原料，再外加所述原料0~3wt%的催化剂，混合，干燥；然后在氮气气氛和1200~1400℃条件下保温2~5h，自然冷却，洗涤，得到氮化硅/碳化硅复合粉体。本发明具有生产成本低、工艺简单和易于工业化生产的特点；所制备的氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体粒度均匀、晶体形貌好和物相纯度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 碳化硅 复合 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法，其特征在于：以20~30wt%的单质硅和70~80wt%的碱金属无机盐为原料，外加所述原料0~3wt%的催化剂，混合10~60分钟，在60~110℃条件下干燥1~12小时；然后在氮气气氛和1200~1400℃条件下保温2~5h，自然冷却，洗涤，制得氮化硅粉体；或以5~15wt%的含硅源的物质、70~80wt%的碱金属无机盐和5~15wt%的碳黑为原料，外加所述原料0~3wt%的催化剂，混合10~60分钟，在60~110℃条件下干燥12~24小时；然后在氮气气氛和1200~1400℃条件下保温2~5h，自然冷却，洗涤，制得氮化硅/碳化硅复合粉体。
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