[发明专利]一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法有效
| 申请号: | 201410738867.7 | 申请日: | 2015-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN104496485A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
| 发明(设计)人: | 丁军;祝洪喜;李光强;邓承继;柴志南;李君 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学 |
| 主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/565;C04B35/626;C01B21/068 |
| 代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
| 地址: | 430081 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 氮化 碳化硅 复合 制备 方法 | ||
1.一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法,其特征在于:
以20~30wt%的单质硅和70~80wt%的碱金属无机盐为原料,外加所述原料0~3wt%的催化剂,混合10~60分钟,在60~110℃条件下干燥1~12小时;然后在氮气气氛和1200~1400℃条件下保温2~5h,自然冷却,洗涤,制得氮化硅粉体;
或以5~15wt%的含硅源的物质、70~80wt%的碱金属无机盐和5~15wt%的碳黑为原料,外加所述原料0~3wt%的催化剂,混合10~60分钟,在60~110℃条件下干燥12~24小时;然后在氮气气氛和1200~1400℃条件下保温2~5h,自然冷却,洗涤,制得氮化硅/碳化硅复合粉体。
2.根据权利要求1所述的氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法,其特征在于所述含硅源的物质为Si、SiO2粉中的一种以上,所述含硅源的物质的粒径≤44μm。
3.根据权利要求1所述的氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法,其特征在于所述碱金属无机盐为NaCl、NaF、KCl中的一种以上,所述碱金属无机盐的纯度≥95wt%。
4.根据权利要求1所述的氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法,其特征在于所述催化剂为Fe、Co和Ni中的一种,所述催化剂的粒径≤2μm。
5.根据权利要求1所述的氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法,其特征在于所述碳黑的粒径均小于0.1mm,所述碳黑的C含量>97wt%。
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