[发明专利]光刻胶和方法在审
| 申请号： | 201410738378.1 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104698757A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 赖韦翰;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/039 | 分类号： | G03F7/039;G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 通过利用会分解的小基团在光刻胶曝光和后曝光烘烤中降低了收缩和质量损失。可选地，可以利用不会分解的大基团或者会分解的小基团和不会分解的大基团的组合。另外，可以利用极性官能团以便降低反应物穿过光刻胶的扩散。本发明还涉及光刻胶和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶，包括：会分解的第一基团，所述会分解的第一基团具有第一数量的碳原子；以及会分解的第二基团，所述会分解的第二基团具有第二数量的碳原子，所述第二数量的碳原子小于所述第一数量的碳原子，并且所述第二数量的碳原子小于9个碳原子。
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