[发明专利]光刻胶和方法

权利要求书

1.一种光刻胶，包括：

会分解的第一基团，所述会分解的第一基团具有第一数量的碳原子；以及

会分解的第二基团，所述会分解的第二基团具有第二数量的碳原子，所述第二数量的碳原子小于所述第一数量的碳原子，并且所述第二数量的碳原子小于9个碳原子。

2.根据权利要求1所述的光刻胶，还包括不会分解的第一大基团，其中，所述会分解的第二基团键合至所述不会分解的大基团。

3.根据权利要求2所述的光刻胶，其中，所述不会分解的第一大基团包括9个至30个之间的碳原子。

4.根据权利要求1所述的光刻胶，其中，所述光刻胶是负性光刻胶。

5.根据权利要求1所述的光刻胶，其中，所述第二数量的碳原子多于4个碳原子。

6.根据权利要求1所述的光刻胶，其中，所述会分解的第二基团具有以下结构：

其中Ra，Rb和Rc的每个均独立地表示选自由C1～C5烷基、环烷基、羟烷基、烷氧基、烷氧基烷基、乙酰基、乙酰基烷基、羧基、烷基羧基、环烷基和杂环烷基组成的组中的基团。

7.根据权利要求1所述的光刻胶，其中，包括所述会分解的第二基团的单体多于所述光刻胶内的单体的5％。

8.根据权利要求7所述的光刻胶，其中，所述会分解的第一基团具有大于约30％的装载。

9.一种光刻胶，包括：

溶剂；

光活性化合物；以及

聚合物树脂，其中所述聚合物树脂还包括：

会裂解的第一基团，具有多于9个的碳原子；以及

会裂解的第二基团，具有不多于9个的碳原子。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

对将被图案化的层施加光刻胶，其中，所述光刻胶包括：

碳氢主链；

第一酸不稳定基团，其中，所述第一酸不稳定基团包括少于9个碳原子；以及

第二酸不稳定基团，其中，所述第二酸不稳定基团包括多于9个碳原子；

将所述光刻胶曝光于图案化的光源；以及

在曝光所光刻胶之后显影所述光刻胶。