[发明专利]静电抓持方法及设备有效
| 申请号: | 201410737866.0 | 申请日: | 2014-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN104701232B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
| 发明(设计)人: | 宋一平;若昂·L·G·费雷拉;迈克尔·库克 | 申请(专利权)人: | 牛津仪器纳米技术工具有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 宋丹氢;张天舒 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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| 摘要: | 一种在等离子加工期间以静电方式将电介质晶片(30)抓持于加工工作台(3)的方法。该工作台(3)具有嵌置于其中的交错电极(26、28)。本方法包括:将具有相反的第一极性和第二极性的相应电压施加于相邻的电极(26、28),其中,以与相应下方电极相反的极性,在晶片(30)中感应极化电荷,从而,将晶片以静电方式抓持于工作台;以及,在预定时间(ton)之后,使电压的极性反转,使得极化电荷以及静电抓持作用持续。各个第一极性和第二极性的接通时间(ton)预先选择为a)大于时间(T1),要求时间(T1)以在晶片中产生足够极化电荷,使得抓持电压撤销之后,具有所要求的压力,保持晶片至少2秒钟,b)小于时间(T2),时间(T2)是在有稳定电压和等离子体的情况下使晶片按第一预定量与工作台分离所用的时间,以及c)小于时间(T3),时间(T3)是在所施加电压已施加之后在没有等离子体的情况下使晶片按第二预定量与基底分离所用的时间。第一极性与第二极性之间切换所用的时间(ts)小于时间(T1)并且小于2秒。 | ||
| 搜索关键词: | 晶片 抓持 工作台 等离子体 极化电荷 静电方式 静电 电极 感应极化电荷 等离子加工 电介质晶片 加工工作台 电压施加 基底分离 极性反转 交错电极 施加电压 稳定电压 预先选择 接通 施加 撤销 | ||
【主权项】:
1.一种在等离子加工期间以静电方式将电介质晶片抓持于加工工作台的方法,所述工作台具有嵌置于其中的交错电极,所述方法包括,将具有相反的第一极性和第二极性的相应电压施加于相邻的电极,其中,在所述晶片中以与相应下方电极相反的极性感应极化电荷,从而,以静电方式将所述晶片抓持于所述工作台;以及,在预定接通时间ton之后,将所述电压的极性反转,使得所述极化电荷以及静电抓持作用持续,其特征在于:i)各所述第一极性和所述第二极性的接通时间ton预先选择为a)大于时间T1,要求时间T1以在所述晶片中产生足够极化电荷,使得撤销抓持电压之后,具有所要求的压力,保持所述晶片至少2秒钟,b)小于时间T2,要求时间T2是有稳定电压和等离子体的情况下使所述晶片按第一预定量与所述工作台分离所用的时间,以及c)小于时间T3,要求时间T3是在所施加电压已施加之后,在没有等离子体的情况下,使所述晶片按第二预定量与所述工作台分离所用的时间;以及,在于ii)所述第一极性与所述第二极性之间切换所用的切换时间ts小于所述时间T1并且小于2秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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