[发明专利]静电抓持方法及设备

权利要求书

1.一种在等离子加工期间以静电方式将电介质晶片抓持于加工工作台的方法，所述工作台具有嵌置于其中的交错电极，所述方法包括，将具有相反的第一极性和第二极性的相应电压施加于相邻的电极，其中，在所述晶片中以与相应下方电极相反的极性感应极化电荷，从而，以静电方式将所述晶片抓持于所述工作台；以及，在预定接通时间t_on之后，将所述电压的极性反转，使得所述极化电荷以及静电抓持作用持续，其特征在于：

i)各所述第一极性和所述第二极性的接通时间t_on预先选择为

a)大于时间T₁，要求时间T₁以在所述晶片中产生足够极化电荷，使得撤销抓持电压之后，具有所要求的压力，保持所述晶片至少2秒钟，

b)小于时间T₂，要求时间T₂是有稳定电压和等离子体的情况下使所述晶片按第一预定量与所述工作台分离所用的时间，以及

c)小于时间T₃，要求时间T₃是在所施加电压已施加之后，在没有等离子体的情况下，使所述晶片按第二预定量与所述工作台分离所用的时间；以及，在于

ii)所述第一极性与所述第二极性之间切换所用的切换时间t_s小于所述时间T₁并且小于2秒。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一预定量和所述第二预定量相同。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过在测试晶片上的试验确定所述时间T₂和时间T₃。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，通过在测试晶片上的试验确定所述时间T₂和时间T₃。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过在恒定压力下将气体注入所述工作台与所述晶片或测试晶片之间，确定所述第一预定量和所述第二预定量，所述第一预定量和所述第二预定量对应于气体流量已按相应预定量增大的状态。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述状态为气体流量增大20～50％。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，进行气体流量比较的初始状态包括5～15Torr范围内的气体压力以及小于2SCCM的气体流量。

8.根据权利要求5至7中任一项权利要求所述的方法，其中，所述气体包括氦气。

9.根据权利要求1至7中任一项权利要求所述的方法，其中，所述时间T₁通过下述步骤确定：

i.在没有等离子体的情况下以稳定电压抓持晶片，以及，建立背侧气体压力，具有小于2sccm的气体泄漏流量，

ii.在一时间间隔之后，将所述抓持电压调零，并且在下一分钟内观察所述气体泄漏流量，

iii.改变所述时间间隔，重复进行抓持，直至确立最小抓持电压接通时间，以此时间，在除去所述抓持电压之后，在2秒内所述气体流量增加不超过20％。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述背侧气体压力在5～15Torr范围内。

11.根据权利要求1至7中任一项权利要求所述的方法，其中，通过下述步骤确定所述时间T₂：

i)在稳定电压下抓持所述晶片或测试晶片，轰击等离子体，以及，记录所述晶片以所述第一预定量与所述工作台分开所用的第一时间；

ii)重复步骤i)，但采用反转极性的电压，以及，记录使所述晶片以所述第一预定量与所述工作台分开所用的第二时间；以及

iii)选择所述第一时间和所述第二时间中的更少的一个作为所述时间T₂。