[发明专利]倒装高压发光器件及其制作方法有效
| 申请号: | 201410735775.3 | 申请日: | 2014-12-08 |
| 公开(公告)号: | CN104409466B | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
| 发明(设计)人: | 钟志白;江彦志;方秋艳;李佳恩;徐宸科 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种倒装高压发光器件及其制作方法,其中所述器件包括由多个相互串联的倒装发光单元构成的发光模组,具有相对的第一表面和第二表面,各个倒装发光单元之间具有间隙,每个发光单元包含n型半导体层、发光层和p型半导体层;光转换层,形成于所述发光模组的第一表面上,并覆盖所述各个发光单元的侧表面;绝缘层,形成于所述发光模组的第二表面上,其覆盖所述整个发光模组的第二表面,仅露出所述发光模组的首个发光单元的n型半导体层和最后一个发光单元的p型半导体层;第一、第二支撑电极,形成于所述绝缘层上,两者相互电性隔离,其中第一支撑电极与所述发光模组的首个发光单元的n型半导体层形成电性连接,第二支撑电极与所述发光模组的最后一个发光单元的p型半导体层形成电性连接。 | ||
| 搜索关键词: | 倒装 高压 发光 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
倒装高压发光器件,包括:由多个相互串联的倒装发光单元构成的发光模组,具有相对的第一表面和第二表面,各个倒装发光单元之间具有间隙,每个发光单元包含n型半导体层、发光层和p型半导体层;光转换层,形成于所述发光模组的第一表面上,并填充所述各个倒装发光单元之间的间隙,覆盖所述各个发光单元的侧表面;绝缘层,形成于所述发光模组的第二表面上, 其覆盖整个所述发光模组的第二表面,仅露出所述发光模组的首个发光单元的n型半导体层和最后一个发光单元的p型半导体层;桥接金属层,形成于所述发光模组的第二表面与所述绝缘层之间,用于串联各个倒装发光单元;第一、第二支撑电极,形成于所述绝缘层上,两者相互电性隔离,其中第一支撑电极与所述发光模组的首个发光单元的n型半导体层形成电性连接,第二支撑电极与所述发光模组的最后一个发光单元的p型半导体层形成电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





