[发明专利]倒装高压发光器件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410735775.3 申请日: 2014-12-08
公开(公告)号: CN104409466B 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 钟志白;江彦志;方秋艳;李佳恩;徐宸科 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/62;H01L33/50;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361009 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种倒装高压发光器件及其制作方法,其中所述器件包括由多个相互串联的倒装发光单元构成的发光模组,具有相对的第一表面和第二表面,各个倒装发光单元之间具有间隙,每个发光单元包含n型半导体层、发光层和p型半导体层;光转换层,形成于所述发光模组的第一表面上,并覆盖所述各个发光单元的侧表面;绝缘层,形成于所述发光模组的第二表面上,其覆盖所述整个发光模组的第二表面,仅露出所述发光模组的首个发光单元的n型半导体层和最后一个发光单元的p型半导体层;第一、第二支撑电极,形成于所述绝缘层上,两者相互电性隔离,其中第一支撑电极与所述发光模组的首个发光单元的n型半导体层形成电性连接,第二支撑电极与所述发光模组的最后一个发光单元的p型半导体层形成电性连接。
搜索关键词: 倒装 高压 发光 器件 及其 制作方法
【主权项】:
倒装高压发光器件,包括:由多个相互串联的倒装发光单元构成的发光模组,具有相对的第一表面和第二表面,各个倒装发光单元之间具有间隙,每个发光单元包含n型半导体层、发光层和p型半导体层;光转换层,形成于所述发光模组的第一表面上,并填充所述各个倒装发光单元之间的间隙,覆盖所述各个发光单元的侧表面;绝缘层,形成于所述发光模组的第二表面上, 其覆盖整个所述发光模组的第二表面,仅露出所述发光模组的首个发光单元的n型半导体层和最后一个发光单元的p型半导体层;桥接金属层,形成于所述发光模组的第二表面与所述绝缘层之间,用于串联各个倒装发光单元;第一、第二支撑电极,形成于所述绝缘层上,两者相互电性隔离,其中第一支撑电极与所述发光模组的首个发光单元的n型半导体层形成电性连接,第二支撑电极与所述发光模组的最后一个发光单元的p型半导体层形成电性连接。
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