[发明专利]倒装高压发光器件及其制作方法

权利要求书

1.倒装高压发光器件，包括：

由多个相互串联的倒装发光单元构成的发光模组，具有相对的第一表面和第二表面，各个倒装发光单元之间具有间隙，每个发光单元包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；

光转换层，形成于所述发光模组的第一表面上，并填充所述各个倒装发光单元之间的间隙，覆盖所述各个发光单元的侧表面；

绝缘层，形成于所述发光模组的第二表面上， 其覆盖整个所述发光模组的第二表面，仅露出所述发光模组的首个发光单元的n型半导体层和最后一个发光单元的p型半导体层；

桥接金属层，形成于所述发光模组的第二表面与所述绝缘层之间，用于串联各个倒装发光单元；

第一、第二支撑电极，形成于所述绝缘层上，两者相互电性隔离，其中第一支撑电极与所述发光模组的首个发光单元的n型半导体层形成电性连接，第二支撑电极与所述发光模组的最后一个发光单元的p型半导体层形成电性连接。

2.根据权利要求1所述的倒装高压发光器件，其特征在于：还包括形成于所述绝缘层与所述第一、第二支撑电极之间的金属反射层，金属反射层覆盖住发光单元之间的间隙位置，其分为第一、第二部分，其中第一部分与所述第一支撑电极连接，第二部分与第二支撑电极连接，所述第一、第二部分分别在端部设置电极连接区，所述绝缘层未覆盖所述电极连接区表面。

3.根据权利要求1所述的倒装高压发光器件，其特征在于：所述桥接金属层为反射性材料。

4.倒装高压发光器件的制作方法，包括步骤：

1）提供一发光外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，依次包含n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中n型半导体层一侧表面为第一表面，p型半导体层一侧表面为第二表面；

2）蚀刻所述发光外延结构的部分p型半导体层和发光层，露出n型半导体层的部分表面，从而将所述发光外延结构的p型半导体层和发光层划分为一系列单元，所述n型半导体层保持连接，未被分割；

3）将前述各个单元的p型半导体层分别与邻近的n型半导体层连接，从而所述发光外延结构形成并联电性结构；

4）制作绝缘层，其覆盖所述发光外延结构的第二表面，仅露出所述发光外延结构首端的n型半导体层和末端的p型半导体层；

5) 在所述绝缘层上制作相互电性隔离的第一、第二支撑电极，其中第一支撑电极与所述发光外延结构首端的n型半导体层形成电性连接，第二去支撑电极与所述发光外延结构末端的p型半导体层形成电性连接；

6）蚀刻所述发光外延结构的部分n型半导体层，从而将所述发光外延结构划分为一系列串联的发光单元，构成发光模组；

7）所述发光外延结构的第一表面上制作光转换层，其覆盖各个所述发光单元的侧表面。

5.根据权利要求4所述的倒装高压发光器件的制作方法，其特征在于：先采用整面n型半导体层作并联结构。

6.根据权利要求4所述的倒装高压发光器件的制作方法，其特征在于：步骤3）中制作一桥接金属层，将各个单元的p型半导体层分别与邻近的n型半导体层连接。

7.根据权利要求6所述的倒装高压发光器件的制作方法，其特征在于：步骤7）形成的光转换层直接覆盖在所述桥接金属层上。

8.根据权利要求4所述的倒装高压发光器件的制作方法，其特征在于：在步骤4）完成后，先在所述绝缘层的表面上制作一金属反射层，再在该金属反射层上制作第一支撑电极和第二支撑电极，其中所述金属反射层分为相互电性隔离的第一、第二部分，其中第一部分与所述发光外延结构首端的n型半导体层形成电性连接，第二部分与所述发光外延结构末端的p型半导体层形成电性连接。