[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410727390.2 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104576719A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 赵静;杨喜超;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种隧穿场效应晶体管，其包括：第一掺杂类型衬底；两个漏极区，分别设于所述第一掺杂类型衬底的相对的两侧；第一外延层，设置于所述第一掺杂类型衬底及所述两个漏极区上；两个源极区，设置于所述第一外延层上且每个源极区分别与一漏极区相对应；栅极区及栅介质层，所述栅极区设置在两个源极区之间且通过所述栅介质层设置在所述第一外延层上，且所述栅极区与两个源极区之间设置所述栅介质层。本发明穿场效应晶体管具有较高的驱动电流，陡直的亚阈值摆幅，较小的泄漏电流以及较高的芯片集成密度。本发明还提供了一种隧穿场效应晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管包括：第一掺杂类型衬底；两个漏极区，分别设于所述第一掺杂类型衬底的相对的两侧；第一外延层，设置于所述第一掺杂类型衬底及所述两个漏极区上；两个源极区，设置于所述第一外延层上且每个源极区分别与一漏极区相对应；栅极区及栅介质层，所述栅极区设置在两个源极区之间且通过所述栅介质层设置在所述第一外延层上，且所述栅极区与两个源极区之间设置所述栅介质层。
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