[发明专利]一种在低功耗低气压条件制备疏水性碳膜的方法有效
| 申请号： | 201410727344.2 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104498907A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 汪爱英;焦圆;张栋;柯培玲;孙丽丽;陈仁德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C16/505 | 分类号： | C23C16/505;C23C16/26;C23C16/02 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 单英 |
| 地址： | 315201浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种低功耗低气压条件制备疏水性碳膜的方法。该方法将清洗烘干后的基体放入PECVD设备腔体，腔体抽真空后通入碳源气体，向基体施加射频负偏压，采用PECVD技术在基体表面沉积碳膜，控制该射频电源功率为20W～70W，腔体沉积压强为1mTorr～30mTorr，能够使沉积的碳膜具有疏松多孔的表面微结构，从而具备疏水性能，即在低功耗、低气压条件下制得疏水性碳膜，是一种低成本，简单易行的制备方法，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 气压 条件 制备 疏水 性碳膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在低功耗低气压条件制备疏水性碳膜的方法，其特征是：将清洗烘干后的基体放入PECVD设备腔体，腔体抽真空后通入碳源气体，向基体施加射频负偏压，采用PECVD技术在基体表面沉积碳膜，所述的射频电源功率为20W～70W，所述的腔体沉积压强为1mTorr～30mTorr。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所;，未经中国科学院宁波材料技术与工程研究所;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410727344.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
