[发明专利]一种在低功耗低气压条件制备疏水性碳膜的方法

权利要求书

1.一种在低功耗低气压条件制备疏水性碳膜的方法，其特征是：将清洗烘干后的基体放入PECVD设备腔体，腔体抽真空后通入碳源气体，向基体施加射频负偏压，采用PECVD技术在基体表面沉积碳膜，所述的射频电源功率为20W～70W，所述的腔体沉积压强为1mTorr～30mTorr。

2.如权利要求1所述的在低功耗低气压条件制备疏水性碳膜的方法，其特征是：所述的碳源气体为CH₄、C₂H₂或者C₆H₆。

3.如权利要求1所述的在低功耗低气压条件制备疏水性碳膜的方法，其特征是：所述的腔体沉积压强为3mTorr～10mTorr。

4.如权利要求1所述的在低功耗低气压条件制备疏水性碳膜的方法，其特征是：所述的射频电源功率为30W～50W。

5.如权利要求1所述的在低功耗低气压条件制备疏水性碳膜的方法，其特征是：沉积碳膜之前首先对基体表面进行刻蚀，刻蚀方法为：将清洗烘干后的基体放入PECVD腔体中，腔体抽真空后通入Ar气等惰性气体，向基体施加初始射频负偏压，利用辉光放电对基体进行刻蚀。

6.如权利要求1至5中任一权利要求所述的低功耗低气压条件制备疏水性碳膜的方法，其特征是：通过调节所述碳源气体流量和/或所述射频电源功率而调控碳膜的疏水特性。