[发明专利]一种超薄陶质砖的制备工艺

摘要

一种超薄陶质砖的制备工艺，坯料原料由重量百分比组成：粘土35~40%，长石25~30%，锂瓷石8~13%，铝矿5~10%，白砂15~20%，包含配料、制浆、制粉、成型干燥、素烧、施釉印花、釉烧、精修包装等步骤。本发明的工艺原材料用量减少，球磨时间，烧成温度和烧成时间都在一定程度上缩短，从而导致污水排放，废气排放，能源和原料消耗，人力资源都得到了很大的节省。

主权项

一种超薄陶质砖的制备工艺，其特征在于包含以下步骤：A.配料：按重量百分比称取原料：粘土35~40%，长石25~30%，锂瓷石8~13%，铝矿5~10%，白砂15~20%；锂瓷石粉的化学组成如下：氧化铝(AI₂O₃)：18.16%，氧化硅(SiO₂)：69.15%，氧化铁(Fe₂O₃)：0.05%，氧化钙(CaO)：1.28%，氧化镁(MgO)：0.02%，氧化钾(K₂O)：3.63%，氧化钠(Na₂O)：2.65%，氧化钛(TiO₂)：0.02%，氧化锂(Li₂O)：1.63% ，烧失LOSS：2.91%；B.制浆：将步骤A中的各物质混合搅拌均匀，按照料：球：水=1:2:0.5的比例球磨混合原料；球磨机球磨后过250目筛，形成筛余量2‑3%的料浆；C.制粉：将步骤B得到的料浆在喷雾干燥塔中干燥制成粉料，喷雾干燥塔得到的粉料含水量控制在6%左右，使细度为40~140目的粉料含量在６０％左右，然后陈腐2~3天：D.成型干燥：将步骤C得到的粉料压制成砖坯，然后梯度升温至200℃，干燥后砖坯含水率在0.5~1%，坯体温度65~70℃；E.素烧：将步骤D中的坯体送至窑内素烧，烧成温度控制在1080~1110℃，烧成时间为30~35min；F.施釉印花：对步骤E得到的烘干后的素坯施加底釉和面釉，然后进行印花操作；底釉的化学组成如下：SiO₂ 38~40%，Al₂O₃ 9~11%，TiO₂ 7~9%，Fe₂O₃ 0.4~0.5%，K₂O 1.3~1.4%，Na₂O 1.5~1.6%，GaO 18~20%，MgO 8~10%，B₂O3 4~5%，烧失量 2~3%；面釉的化学组合如下：SiO₂ 45~47%，Al₂O₃ 6~17%，ZnO 7~8%，ZrO₂ 3~5%，Fe₂O₃ 0.04~0.06%，K₂O 1.3~1.5%，Na₂O 1.5~1.6%，GaO 18~20%，MgO 8~10%，B₂O3 4~5%；G.釉烧：将步骤F中的坯体送至窑内釉烧，烧成温度1050~1080℃，烧成周期30~35min；H.精修包装：对步骤G中烧成的陶瓷砖进行切边、干燥、检选、包装即得到成品。