[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410720639.7 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105712287B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张先明;丁敬秀;金滕滕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 应战,骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制作方法，采用多次湿法腐蚀对金层进行图形化，湿法腐蚀溶液为包含KI与I2的水溶液，每次湿法腐蚀的时间小于2分钟，每次湿法腐蚀完之后采用去离子水冲洗。如此，每次腐蚀产生的副产物能得以及时剥离，避免一次长时间腐蚀金层产生的刻蚀副产物包覆该金层造成该金层的进一步的腐蚀速率减缓，同时避免了不同区域腐蚀速率不同造成金残留与形成的多个金图案块存在底切量均匀性不高问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有金层，所述金层上具有图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜对所述金层进行图形化，所述金层的图形化为湿法腐蚀，采用的溶液为包含KI与I2的水溶液，所述湿法腐蚀分多次进行，每次湿法腐蚀的时间小于2分钟，每次湿法腐蚀完之后采用去离子水冲洗。
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