[发明专利]半导体器件的制作方法有效

专利信息
申请号: 201410720639.7 申请日: 2014-12-02
公开(公告)号: CN105712287B 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: 张先明;丁敬秀;金滕滕 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 应战,骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 制作方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件的制作方法,其特征在于,包括:

提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有金层,所述金层上具有图形化的掩膜层;

以所述图形化的掩膜层为掩膜对所述金层进行图形化,所述金层的图形化为湿法腐蚀,采用的溶液为包含KI与I2的水溶液,所述湿法腐蚀分多次进行,每次湿法腐蚀的时间小于2分钟,每次湿法腐蚀完之后采用去离子水冲洗。

2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,每次湿法腐蚀的时间小于1分钟。

3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述湿法腐蚀的次数大于4次。

4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,每次去离子水冲洗的时间大于2分钟。

5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,每次去离子水冲洗的时间范围为:2分钟~5分钟。

6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,湿法腐蚀采用的水溶液中,I2的质量百分比小于2%,KI的质量百分比小于5%,去离子水的质量百分比大于93%。

7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,湿法腐蚀采用的水溶液中,I2的质量百分比为1.3%,KI的质量百分比为4%,去离子水的质量百分比为94.7%。

8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述金层的厚度为300纳米,图形化形成的每个金图案块的底切量小于3微米。

9.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述半导体衬底材质为硅,所述掩膜层材质为光刻胶。

10.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述金层图形化后,采用低压气流吹干。

11.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述半导体器件为MEMS器件,所述图形化的金层用于晶圆键合。

12.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述半导体器件为MEMS器件,所述MEMS器件具有可动敏感薄膜和固定电极,所述图形化的金层用于形成引出可动敏感薄膜和固定电极电信号的接触电极。

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