[发明专利]一种制备三维ZnO纳米线网的方法有效
| 申请号： | 201410718597.3 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN104402039A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 王亮;陆文强;宋金会;冯双龙;王凤丽;李振湖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在洗净GaN衬底表面涂覆HAuCl4与还原剂和聚合物的混合溶液；在高温管式真空炉中间放置盛有化学反应物的舟，化学反应物包括ZnO粉和石墨粉，其气流下游位置放置衬底，抽真空，把真空管加热到800-1200℃，然后通入氧气和工作气体，控制压强到30-400毫巴，生长时间大于20min，然后让真空管式炉自然降温，在GaN衬底上即可制备出三维ZnO纳米线网络。本发明方法简单，利用聚合物诱导三维纳米线网络生长。制备的纳米线取向有垂直衬底和平行衬底两类，构成有序三维纳米线网络结构，具有极大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 三维 zno 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在洗净GaN衬底表面涂覆HAuCl4与还原剂和聚合物的混合溶液；在高温管式真空炉中间放置盛有化学反应物的舟，化学反应物包括ZnO粉和石墨粉，其气流下游位置放置衬底，抽真空，把真空管加热到800‑1200℃，然后通入氧气和工作气体，控制压强到30‑400毫巴，生长时间大于20min，然后让真空管式炉自然降温，在GaN衬底上即可制备出三维ZnO纳米线网络。
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