[发明专利]一种制备三维ZnO纳米线网的方法

权利要求书

1.一种制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在洗净GaN衬底表面涂覆HAuCl₄与还原剂和聚合物的混合溶液；在高温管式真空炉中间放置盛有化学反应物的舟，化学反应物包括ZnO粉和石墨粉，其气流下游位置放置衬底，抽真空，把真空管加热到800-1200℃，然后通入氧气和工作气体，控制压强到30-400毫巴，生长时间大于20min，然后让真空管式炉自然降温，在GaN衬底上即可制备出三维ZnO纳米线网络。

2.如权利要求1所述制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，所述还原剂选自乙醇、柠檬酸、乙醛或乙二醇中的一种或多种。

3.如权利要求1或2所述制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，聚合物选自聚乙二醇、或聚乙烯醇。

4.如权利要求3所述制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，所述HAuCl₄与还原剂比例当小于化学配比，即保持还原剂过量状态，聚合物的体积百分数为0.05-0.2(v/v％)。

5.如权利要求4所述制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，ZnO粉和石墨粉的质量比例为：1:1-9:4。

6.如权利要求1或5所述制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，化学反应物除ZnO粉和石墨粉外，还可包括引入掺杂元素。

7.如权利要求6所述制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，所述掺杂元素选自Ga、Al、As、Sb、Cu、S、Co、Na、Ni或P掺杂元素。

8.如权利要求1或4所述制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，衬底放置于盛有化学反应物的舟的气流下游0-10cm范围。

9.如权利要求1或4所述制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，工作气体为氮气或氩气。

10.如权利要求9所述制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，O₂与工作气体的体积比为1-2：100。