[发明专利]形成具有沟槽的透明基材的方法及形成元件基板的方法有效
| 申请号： | 201410717599.0 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN104409329A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 郑钧文;赖英傑;林嘉信 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;尚群 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 形成具有沟槽的透明基材的方法及形成元件基板的方法，该形成具有沟槽的透明基材的方法。首先，提供一透明基材，且透明基材上形成有一透明导电层。然后，利用一激光装置产生一激光，并将激光照射透明基材与透明导电层，以于透明基材与透明导电层相接触的一第一表面形成具有至少一上视图案的至少一沟槽，并移除沟槽正上方的透明导电层，其中激光的功率小于8瓦。该形成元件基板的方法，包括该形成具有沟槽的透明基材的方法，以及于该沟槽内填入一高分子材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 沟槽 透明 基材 方法 元件 | ||
【主权项】：
一种形成具有沟槽的透明基材的方法，其特征在于，包括：提供一透明基材，且该透明基材上形成有一透明导电层；以及利用一激光装置产生一激光，并将该激光照射该透明基材与该透明导电层，以于该透明基材与该透明导电层相接触的一第一表面形成具有至少一上视图案的至少一沟槽，并移除该沟槽正上方的该透明导电层，其中该激光的功率小于8瓦。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
