[发明专利]形成具有沟槽的透明基材的方法及形成元件基板的方法有效
| 申请号: | 201410717599.0 | 申请日: | 2014-12-01 |
| 公开(公告)号: | CN104409329A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
| 发明(设计)人: | 郑钧文;赖英傑;林嘉信 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;尚群 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 形成 具有 沟槽 透明 基材 方法 元件 | ||
技术领域
本发明涉及一种形成具有沟槽的透明基材的方法以及形成元件基板的方法,特别是一种使用激光加工的形成具有沟槽的透明基材的方法以及形成元件基板的方法。
背景技术
传统于透明基材的表面形成沟槽的方式是使用应用半导体科技的微影工艺与蚀刻工艺。于此传统方式中,基材表面会先涂布光阻,然后透过曝光与显影工艺将光阻图案化,使得所形成的光阻图案可暴露出部分透明基材,且暴露出的部分具有所欲形成沟槽的图案。接着,透过施以蚀刻液或通入蚀刻气体可对暴露出的透明基材蚀刻,进而形成所欲的沟槽。最后再将光阻图案移除。然而,使用传统微影与蚀刻工艺对透明基材蚀刻时容易产生非等向性蚀刻问题,例如:蚀刻液会对光阻图案下方的透明基材蚀刻,因而造成悬凸的问题,或者由于整片透明基材需通入蚀刻液或蚀刻气体,因此实际所欲形成沟槽的面积与蚀刻液/蚀刻气体所碰到整片基材的面积的比例过大,造成蚀刻液/蚀刻气体的浪费。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种形成具有沟槽的透明基材的方法以及形成元件基板的方法,以解决上述现有技术的问题。
为了实现上述目的,本发明提供了一种形成具有沟槽的透明基材的方法。首先,提供一透明基材,且透明基材上形成有一透明导电层。然后,利用一激光装置产生一激光,并将激光照射透明基材与透明导电层,以于透明基材与透明导电层相接触的一第一表面形成具有至少一上视图案的至少一沟槽,并移除沟槽正上方的透明导电层,其中激光的功率小于8瓦。
为了更好地实现上述目的,本发明还提供了一种形成元件基板的方法,包括:
提供一透明基材,且该透明基材上形成有一透明导电层;
利用一激光装置产生一激光,并将该激光照射该透明基材与该透明导电层,以于该透明基材与该透明导电层相接触的一第一表面形成具有至少一上视图案的至少一沟槽,并移除该沟槽正上方的该透明导电层,其中该激光的功率小于8瓦;以及
于该沟槽内填入一高分子材料层。
本发明的技术效果在于:
于本发明的方法中,由于透明基材上形成有透明导电层,因此激光可通过透明导电层的聚焦与吸收在低功率的情况下蚀刻透明基材,以有效地降低激光的功率,并蚀刻出一定深度的沟槽。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1至图4为本发明第一实施例的形成具有沟槽的透明基材的方法示意图;
图5为本发明第一实施例的沟槽的上视图案示意图;
图6为本发明第二实施例的形成具有沟槽的透明基材的方法示意图;
图7为本发明第三实施例的形成具有沟槽的透明基材的方法示意图;
图8为本发明第四实施例的形成元件基板的方法示意图;
图9为本发明第五实施例的形成元件基板的方法示意图;
图10为本发明第六实施例的形成元件基板的方法示意图。
其中,附图标记
102 透明基材 102a 第一表面
102b 第二表面 104、202 透明导电层
106 传送机台 108 激光装置
108a 激光 110 沟槽
110a 上视图案 112 支撑柱
114 滚轮 116 移动装置
118 控制装置 202a 第一部分
202b 第二部分 204 第一沟槽
206 第二沟槽 300、350、400 元件基板
302、352 高分子材料层 402 对向基板
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





