[发明专利]PIP电容器的制备方法在审
| 申请号： | 201410712868.4 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN105632891A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李广宁;高燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的PIP电容器的制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成第一多晶硅层，选择性刻蚀第一多晶硅层，形成第一多晶硅电极；沉积隔离层，隔离层覆盖第一多晶硅电极和半导体衬底；选择性刻蚀隔离层，保留靠近第一多晶硅电极侧壁处的隔离层，形成隔离结构，隔离结构的宽度由半导体衬底表面向第一多晶硅电极的方向逐渐减小；沉积绝缘薄膜，绝缘薄膜覆盖第一多晶硅电极、半导体衬底以及隔离结构；沉积第二多晶硅层，第二多晶硅层覆盖绝缘薄膜；选择性刻蚀第二多晶硅层和绝缘薄膜，分别形成第二多晶硅电极以及介质层，并露出第一多晶硅电极以及半导体衬底。本发明的隔离结构使得在刻蚀第二多晶硅层和绝缘薄膜过程中。 | ||
| 搜索关键词： | pip 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种PIP电容器的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一多晶硅层，选择性刻蚀所述第一多晶硅层，形成第一多晶硅电极；沉积隔离层，所述隔离层覆盖所述第一多晶硅电极和所述半导体衬底；选择性刻蚀所述隔离层，保留靠近所述第一多晶硅电极的侧壁处的所述隔离层，形成一隔离结构，并且所述隔离结构的宽度由所述半导体衬底表面向所述第一多晶硅电极的方向逐渐减小；沉积绝缘薄膜，所述绝缘薄膜覆盖所述第一多晶硅电极、所述半导体衬底以及所述隔离结构；沉积第二多晶硅层，所述第二多晶硅层覆盖所述绝缘薄膜；选择性刻蚀所述第二多晶硅层以及所述绝缘薄膜，分别形成第二多晶硅电极以及介质层，并露出所述第一多晶硅电极以及所述半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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