[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其能够抑制在通路孔内产生空隙。半导体装置(100)具备半导体衬底(12)。半导体衬底具备表面(12a)和背面(12b)，在表面设置有晶体管(26)的源极电极(20)、栅极电极(22)及漏极电极(24)。源极电极具有上表面(20a)及下表面(20b)。到达下表面(20b)的开口设置于背面(12b)。Au层(14)覆盖开口的侧面及底面。Ni层(16)设置为在开口内覆盖Au层(14)。Au层(19)由与Ni层的材料相比对焊料的密接性更高的材料形成，以在开口内覆盖Ni层的至少一部分的方式层叠于Ni层。焊料层(32)设置为填埋开口内部，与Ni层的一部分及Au层(19)接触。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底，其具备表面和背面，在所述表面设置半导体元件以及所述半导体元件的电极，到达所述电极下表面的开口设置于所述背面；第1金属层，其覆盖所述开口的侧面以及底面；阻挡金属层，其设置为在所述开口内覆盖所述第1金属层；第2金属层，其由与所述阻挡金属层的材料相比，对焊料的密接性更高的材料形成，该第2金属层以在所述开口内将所述阻挡金属层的至少一部分覆盖的方式，层叠于所述阻挡金属层，所述至少一部分包括所述阻挡金属层中的与所述底面重叠的部分；以及焊料，其以在所述开口内与所述第2金属层重叠的方式填埋所述开口，所述第2金属层使所述阻挡金属层中的与所述侧面重叠的部分的至少一部分露出。