[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体衬底，其具备表面和背面，在所述表面设置半导体元件以及所述半导体元件的电极，到达所述电极下表面的开口设置于所述背面；

第1金属层，其覆盖所述开口的侧面以及底面；

阻挡金属层，其设置为在所述开口内覆盖所述第1金属层；

第2金属层，其由与所述阻挡金属层的材料相比，对焊料的密接性更高的材料形成，该第2金属层以在所述开口内将所述阻挡金属层的至少一部分覆盖的方式，层叠于所述阻挡金属层，所述至少一部分包括所述阻挡金属层中的与所述底面重叠的部分；以及

焊料，其以在所述开口内与所述第2金属层重叠的方式填埋所述开口，

所述第2金属层使所述阻挡金属层中的与所述侧面重叠的部分的至少一部分露出。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述阻挡金属层由从由镍、铂、铅、钛以及钴构成的组中选择出的1种材料形成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述阻挡金属层由从由镍、铂、铅、钛以及钴构成的组中选择出的1种材料的氧化物形成。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述阻挡金属层是将第1阻挡金属层和第2阻挡金属层至少大于或等于1次地彼此重叠地层叠而得到的，其中，该第2阻挡金属层由与所述第1阻挡金属层的材料相比，层内的应力更低的材料构成。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1阻挡金属层由镍形成，

所述第2阻挡金属层由从由铂、铅、钛、金、铝、铌以及铜构成的组中选择出的1种材料形成。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1阻挡金属层比所述第2阻挡金属层厚。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述阻挡金属层设置在从所述开口的内部直至所述背面的所述开口的缘部为止，不设置于所述缘部的外侧。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件为晶体管，在所述表面按顺序排列地设置栅极、源极、漏极，

所述电极是设置于所述源极的上方的源极电极。

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1金属层以及所述第2金属层包含金，所述阻挡金属层包含镍。