[发明专利]一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法，该方法是先在导电基体上镀一层Se或S薄膜，再将镀有Se或S薄膜的导电基体置于含有铟离子、镓离子、硒离子、铜离子中的至少两种和光电子释放剂的溶液体系中，进行光化学沉积，得到铜铟镓硒薄膜；该方法成功地将光化学沉积方法运用到铜铟镓硒薄膜制备过程中，可以有效控制光化学沉积铜铟镓硒薄膜的生长情况及形貌，制备的铜铟镓硒薄膜表面形貌好、致密度高、成分可控，有效解决传统光化学沉积中存在的沉积过程可控性差、成膜不均匀的问题，且该方法原料利用率高，成本低，可大规模推广生产。

主权项

一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法，其特征在于，先在导电基体上镀一层Se或S薄膜，再将镀有Se或S薄膜的导电基体置于含有铟离子、镓离子、硒离子、铜离子中的至少两种和光电子释放剂的溶液体系中，进行光化学沉积，得到Cu_aIn_bGa_cSe_d薄膜，其中，0≤a，0≤b，0≤c，0≤d，且a、b、c、d中至少两个不同时为0；所述的光电子释放剂为Na₂SO₃、Na₂S₂O₃、K₂SO₃、K₂S₂O₃、Li₂SO₃、Li₂S₂O₃中的至少一种。