[发明专利]一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法

权利要求书

1.一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法，其特征在于，先在导电基体上镀一层Se或S薄膜，再将镀有Se或S薄膜的导电基体置于含有铟离子、镓离子、硒离子、铜离子中的至少两种和光电子释放剂的溶液体系中，进行光化学沉积，得到Cu_aIn_bGa_cSe_d薄膜，其中，0≤a，0≤b，0≤c，0≤d，且a、b、c、d中至少两个不同时为0；所述的光电子释放剂为Na₂SO₃、Na₂S₂O₃、K₂SO₃、K₂S₂O₃、Li₂SO₃、Li₂S₂O₃中的至少一种。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行光化学沉积过程中维持溶液体系的温度为15～90℃，pH为1～10，入射光的光强范围为60～500mW/cm²。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的入射光选自波长200～1000nm范围内的至少一种单色光。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的溶液体系中光电子释放剂与铜、铟、镓和硒离子总摩尔浓度比为13～30:1。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的溶液体系中铜离子浓度范围为0～0.30mol/L，铟离子浓度范围为0～0.50mol/L，镓离子的浓度范围为0～0.80mol/L，硒离子的浓度范围为0～0.50mol/L；且溶液体系中含有铜离子、铟离子、镓离子和硒离子中的至少两种，其中，溶液体系中铜离子、铟离子、镓离子和硒离子的总浓度为0.01～2.5mol/L。

6.如权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，光化学沉积时间为10～150分钟时相应的制备的Cu_aIn_bGa_cSe_d薄膜厚度为0.01～5μm。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的Cu_aIn_bGa_cSe_d薄膜中含In_1-2Se_1-3、CuSe_1-3、CuIn_1-2Se_1-4、CuIn_0.01-2Ga_0.01-2Se_0.01-5中的至少一种。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的导电基体为镀Mo钠钙玻璃、ZAO玻璃、ATO玻璃、ITO玻璃、FTO玻璃、不锈钢箔、Mo箔、Al箔、Cu箔、Au箔、Ti箔或镀有导电层的PI膜。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，Se或S薄膜的厚度为400～1000nm。

10.如权利要求1或9所述的方法，其特征在于，Se或S薄膜通过蒸发法、磁控溅射或激光脉冲沉积得到。