[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。改善了半导体器件的特性。形成一种半导体器件以便具有形成在衬底上的沟道层、势垒层、在开口区中贯穿势垒层并到达沟道层的一定点的沟槽、经由栅极绝缘膜布置在沟槽中的栅电极，以及形成在开口区外部的势垒层上的绝缘膜。则，绝缘膜具有富Si氮化硅膜以及位于其下的富N氮化硅膜的叠层结构。因此，绝缘膜的上层设定为富Si氮化硅膜。这能提升击穿电压，并且还能提升蚀刻抗性。而绝缘膜的下层设定为富N氮化硅膜。这可以抑制崩塌。

主权项

一种半导体器件，包括：第一氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层形成在衬底上；第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层形成在所述第一氮化物半导体层上，并且带隙比所述第一氮化物半导体层宽；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成在所述第二氮化物半导体层上；栅电极；以及第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别形成在所述栅电极的相对侧的所述第二氮化物半导体层上，其中，所述第一绝缘膜具有与所述第二氮化物半导体层接触的第一氮化硅膜，以及形成在所述第一氮化硅膜上的第二氮化硅膜，其中，所述第二氮化硅膜的硅(Si)组分比大于所述第一氮化硅膜的硅(Si)组分比，并且其中，所述栅电极设置在至少所述第二氮化硅膜上。