[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层形成在衬底上；

第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层形成在所述第一氮化物半导体层上，并且带隙比所述第一氮化物半导体层宽；

形成在所述第二氮化物半导体层中的沟槽，所述沟槽穿透所述第二氮化物半导体层，并且在所述沟槽的底表面处到达所述第一氮化物半导体层，

第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成在所述第二氮化物半导体层上，以包围所述沟槽；

栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在所述第一绝缘膜上，并且形成在所述沟槽的侧表面和底表面上；

栅电极，所述栅电极形成在所述栅极绝缘膜上，以在平面图中与所述第一绝缘膜重叠；以及

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别形成在所述栅电极的相对侧的所述第二氮化物半导体层上，

其中，所述第一绝缘膜具有与所述第二氮化物半导体层接触的第一氮化硅膜，以及与所述栅极绝缘膜接触地形成在所述第一氮化硅膜上的第二氮化硅膜，

其中，所述第二氮化硅膜的硅(Si)组分比大于所述第一氮化硅膜的硅(Si)组分比，

其中，所述第一氮化硅膜的氮(N)组分比大于所述第二氮化硅膜的氮(N)组分比，并且

其中，所述栅电极的一部分经由所述栅极绝缘膜设置在至少所述第二氮化硅膜上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一氮化硅膜的组分比[Si]/[N]在0.75周围的±1％内。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一氮化硅膜的组分比[Si]/[N]为0.65或更大且0.85或更小。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二氮化硅膜的组分比[Si]/[N]大于0.85。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一氮化硅膜的组分比[Si]/[N]在0.75周围的±1％内，并且

其中，所述第二氮化硅膜的组分比[Si]/[N]大于0.85。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一氮化硅膜的组分比[Si]/[N]为0.65或更大且0.85或更小，并且

其中，所述第二氮化硅膜的组分比[Si]/[N]大于0.85。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一绝缘膜具有暴露所述沟槽的开口，并且

其中，所述栅电极也设置在所述开口处的所述栅极绝缘膜上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

所述器件具有沟槽，所述沟槽将所述第一绝缘膜开口，贯穿所述第二氮化物半导体层，并且在所述沟槽的底表面处到达所述第一氮化物半导体层，

其中，所述栅电极经由栅极绝缘膜从所述沟槽延伸至所述第一绝缘膜上。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

所述器件具有形成在所述栅电极上的第二绝缘膜，

其中，所述第二绝缘膜布置在所述第一绝缘膜的端部和所述第一电极之间的所述第二氮化物半导体层上。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，

所述器件具有沟槽，所述沟槽将所述第二氮化物半导体层开口，并且在所述沟槽的底表面处到达所述第一氮化物半导体层，

其中，所述第一绝缘膜也形成在所述沟槽的侧表面和底表面上，并且

其中，所述栅电极从所述沟槽的侧表面和底表面上的所述第一绝缘膜上延伸至所述沟槽外部的所述第一绝缘膜上。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，

所述器件具有以下述方式设置的栅极绝缘膜，所述方式使所述栅极绝缘膜在所述栅电极和所述第一绝缘膜之间与至少所述第二氮化硅膜接触。