[发明专利]一种稀土掺杂的微纳米级发光基质材料K2NaScF6及其制备方法无效
申请号: | 201410708806.6 | 申请日: | 2014-11-27 |
公开(公告)号: | CN104357057A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 王丽丽;李大光;刘世虎;张鹏;兰民;王哲;孙丽晶;敖伟 | 申请(专利权)人: | 长春工业大学 |
主分类号: | C09K11/85 | 分类号: | C09K11/85 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 张景林;王恩远 |
地址: | 130012 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 一种稀土掺杂的微纳米级的上转换和下转换发光基质材料K2NaScF6及其制备方法,属于发光材料技术领域。其化学式为K2NaSc(1-x-y)F6:xM,yN,其中M是发光中心离子,选自Er3+、Tm3+、Ho3+、Tb3+、Eu3+中的一种或几种;N是敏化离子,选自Yb3+、Ce3+中的一种或者两种。可以采用水热/溶剂热法、溶胶凝胶法、高温合成法或者微乳液法制备,所涉及的这些合成方法简单,无需额外的化学处理。可以通过调整掺杂元素种类及浓度调整发光特性,其发光过程在常温(10~60℃)下均可实现。 | ||
搜索关键词: | 一种 稀土 掺杂 纳米 发光 基质 材料 sub nascf 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种稀土掺杂的微纳米级发光基质材料K2NaScF6,其特征在于:其化学式为K2NaSc(1‑x‑y)F6:xM,yN,其中M是发光中心离子,选自Er3+、Tm3+、Ho3+、Tb3+、Eu3+中的一种或几种;N是敏化离子,选自Yb3+、Ce3+中的一种或者两种,x、y分别为发光中心离子和敏化离子的摩尔分数,1‑x‑y为Sc的摩尔分数,0.005≤x≤0.1,0≤y≤0.3。
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