[发明专利]一种单晶硅收尾方法及单晶硅制备方法有效
| 申请号： | 201410707692.3 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104372399B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 司佳勇;周浩;尚繁 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单晶硅收尾方法，该方法包括：步骤S10：使晶体下降，直至浸入溶液中，提高热场温度；步骤S20：使晶体的生长方向向上，提高热场温度；步骤S30：晶体收尾长度达到第一阈值时，提高热场温度，当晶体收尾长度达到第二阈值时，降低晶体直径步骤S40：当晶体收尾长度为50mm‑80mm，且晶体直径小于50mm时，将晶体与溶液提断。本发明在收尾工序开始的初期，将晶体下降至溶液中的同时提高热场温度，防止单晶硅与收尾部分的单晶硅之间的分界面处受到热应力冲击而产生位错，当晶体收尾长度达到50mm‑80mm，直径小于50mm时将晶体与溶液提断，缩短了收尾周期至1至1.7个小时左右，明显缩短了收尾周期。本发明还提供了一种单晶硅制备方法，能够缩短收尾的周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 收尾 方法 制备 | ||
【主权项】：
一种单晶硅收尾方法，其特征在于，该方法包括：步骤S10：使晶体下降，直至浸入溶液中，提高热场温度；步骤S20：使晶体的生长方向向上，提高热场温度；步骤S30：晶体收尾长度达到第一阈值时，提高热场温度，当晶体收尾长度达到第二阈值时，降低晶体直径；步骤S40：当晶体收尾长度为50mm‑80mm，且晶体直径小于50mm时，将晶体与溶液提断；其中，所述第一阈值为30mm，所述第二阈值为50mm。
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