[发明专利]一种单晶硅收尾方法及单晶硅制备方法有效
| 申请号： | 201410707692.3 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104372399B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 司佳勇;周浩;尚繁 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 收尾 方法 制备 | ||
1.一种单晶硅收尾方法，其特征在于，该方法包括：
步骤S10：使晶体下降，直至浸入溶液中，提高热场温度；
步骤S20：使晶体的生长方向向上，提高热场温度；
步骤S30：晶体收尾长度达到第一阈值时，提高热场温度，当晶体收尾长度达到第二阈值时，降低晶体直径；
步骤S40：当晶体收尾长度为50mm-80mm，且晶体直径小于50mm时，将晶体与溶液提断。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S10中，所述晶体以0.5mm/min的速度下降。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S10中，所述热场温度提高的范围为10sp-45sp。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S10中在提高热场温度之后还包括：
逐步降低坩埚的旋转速度，所述坩埚的旋转速度逐步由8rpm/min降低至5rpm/min。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S10中，在晶体下降之前还包括将坩埚的提升速度变为零。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S10中，所述晶体进入溶液中的长度为1mm-3mm。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S20中，所述步骤S20中，在使晶体生长方向向上之前还包括：
将晶体的生长速率提高至0.5mm/min-1mm/min。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S20中，所述热场温度提高的范围为60sp-80sp。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S30中，所述热场温度提高的范围为100sp-140sp。
10.一种单晶硅制备方法，其特征在于，所述单晶硅制备方法包括化料、引晶、缩径、放肩、等径生长以及收尾，所述收尾包括如权利要求1至9任一项所述的单晶硅收尾方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英利能源（中国）有限公司，未经英利能源（中国）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410707692.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型压力机顶杆高度测量器
- 下一篇：一种尺钩磁性块固定结构
