[发明专利]一种N型双面太阳电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种N型双面电池的制备方法，该方法包括制绒、硼扩散、刻蚀、抛光钝化、N+背场层制备、清洗、氧化退火、双面沉积减反膜、双面印刷金属电极及烧结，制备得到N型双面电池。与现有技术相比，本发明采用的N型双面工艺流程增加了抛光钝化及清洗步骤，改善了N型双面电池的背面钝化效果及解决了双面电池漏电大的问题，同时采用离子注入方法制备的N+背场层具有更好的平整度，从而使N型双面电池获得更好的开路电压和短路电流，进而可以提高N型双面电池的光电转换效率和发电量，且工艺流程可适用于大规模生产，具备广阔的推广潜力和市场应用价值。

主权项

一种N型双面电池的制备方法，其特征在于，采用以下步骤：(1)N型硅片经制绒后，在800～1000℃进行BBr₃热扩散制作正面PN结；扩散后方阻范围30～130Ω/□；(2)采用刻蚀方法去除硅片边缘PN结，采用HF水溶液去除硼硅玻璃；(3)通过湿化学方法，采用HF/HNO₃混酸水溶液腐蚀，对硅片背表面进行抛光，在背面形成抛光钝化层；(4)采用离子注入方法制备硅片背面N+背场层；(5)依次采用NH₃OH/H₂O₂水溶液、H₂O、HF/HCl混酸水溶液和H₂O对硅片进行清洗，清洗后进行甩干；(6)对清洗后的硅片进行退火，退火的温度为700～900℃，时间5～120分钟，氧气流量为500～3000sccm；(7)退火后，利用PECVD设备在硅片正背面都沉积氮化硅减反射膜；(8)在沉积氮化硅减反射膜硅片的正背面印刷金属电极，经过烧结得到N型双面电池。