[发明专利]一种N型双面太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种N型双面电池的制备方法，其特征在于，采用以下步骤：

(1)N型硅片经制绒后，在800～1000℃进行BBr₃热扩散制作正面PN结； 扩散后方阻范围30～130Ω/□；

(2)采用刻蚀方法去除硅片边缘PN结，采用HF水溶液去除硼硅玻璃；

(3)通过湿化学方法，采用HF/HNO₃混酸水溶液腐蚀，对硅片背表面进 行抛光，在背面形成抛光钝化层；

(4)采用离子注入方法制备硅片背面N+背场层；

(5)依次采用NH₃OH/H₂O₂水溶液、H₂O、HF/HCl混酸水溶液和H₂O对 硅片进行清洗，清洗后进行甩干；

(6)对清洗后的硅片进行退火，退火的温度为700～900℃，时间5～120分 钟，氧气流量为500～3000sccm；

(7)退火后，利用PECVD设备在硅片正背面都沉积氮化硅减反射膜；

(8)在沉积氮化硅减反射膜硅片的正背面印刷金属电极，经过烧结得到N 型双面电池。

2.根据权利要求1所述的一种N型双面电池的制备方法，其特征在于， 步骤(2)所述的刻蚀为干法刻蚀或湿法刻蚀，采用HF水溶液的浓度为 0.5～10wt％。

3.根据权利要求1所述的一种N型双面电池的制备方法，其特征在于， 步骤(3)所述抛光钝化层的反射率＞15％。

4.根据权利要求1所述的一种N型双面电池的制备方法，其特征在于， 步骤(4)制备得到的硅片背面N+背场层的方阻范围为20～90Ω/□。

5.根据权利要求1所述的一种N型双面电池的制备方法，其特征在于， 步骤(6)所述所用的氧气为干氧。

6.根据权利要求1所述的一种N型双面电池的制备方法，其特征在于，步 骤(7)中的氮化硅减反膜正面膜厚50～100nm，折射率2.0～2.3；背面减反膜厚 度为50～110nm，折射率为1.9～2.2。

7.根据权利要求1所述的一种N型双面电池的制备方法，其特征在于， 步骤(8)所述的金属电极由主栅电极和副栅电极组成，其中主栅电极根数为 0～5根，副栅电极根数为70～110根。