[发明专利]一种发光二极管外延片结构有效
申请号: | 201410695201.8 | 申请日: | 2014-11-27 |
公开(公告)号: | CN104377283B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 舒立明;张东炎;刘晓峰;刘志彬;王良钧;王笃祥 | 申请(专利权)人: | 天津三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供一种发光二极管外延片结构,由下至上包括衬底、N型氮化镓层、多量子阱发光层以及P型氮化镓层,在所述N型氮化镓层中至少插入一个InyGa1‑yN/AlN复合层(0<y≤1),在所述P型氮化镓层中至少插入一个AlN/InzGa1‑zN复合层(0<z≤1),插入层中AlN层抬高了的势垒形成了阻挡层,InyGa1‑yN层降低了势垒形成了载流子俘获层,使在N型氮化镓层与P型氮化镓层中形成的二维电子气浓度更高、分布更加集中,从而提高电流扩展能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】:
一种发光二极管外延片结构,由下至上包括:衬底、N型氮化镓层、多量子阱发光层以及P型氮化镓层,其特征在于:在所述N型氮化镓层内部至少插入一个InyGa1‑yN/AlN复合薄层,其中0<y≤1,在所述P型氮化镓层内部至少插入一个AlN/InzGa1‑zN复合薄层,其中0<z≤1。
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