[发明专利]一种发光二极管外延片结构有效
| 申请号： | 201410695201.8 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104377283B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 舒立明;张东炎;刘晓峰;刘志彬;王良钧;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管外延片结构，由下至上包括衬底、N型氮化镓层、多量子阱发光层以及P型氮化镓层，在所述N型氮化镓层中至少插入一个InyGa1‑yN/AlN复合层（0＜y≤1），在所述P型氮化镓层中至少插入一个AlN/InzGa1‑zN复合层（0＜z≤1），插入层中AlN层抬高了的势垒形成了阻挡层，InyGa1‑yN层降低了势垒形成了载流子俘获层，使在N型氮化镓层与P型氮化镓层中形成的二维电子气浓度更高、分布更加集中，从而提高电流扩展能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片结构，由下至上包括：衬底、N型氮化镓层、多量子阱发光层以及P型氮化镓层，其特征在于：在所述N型氮化镓层内部至少插入一个InyGa1‑yN/AlN复合薄层，其中0＜y≤1，在所述P型氮化镓层内部至少插入一个AlN/InzGa1‑zN复合薄层，其中0＜z≤1。
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