[发明专利]一种发光二极管外延片结构

权利要求书

1.一种发光二极管外延片结构，由下至上包括：衬底、N型氮化镓层、多量子阱发光层以及P型氮化镓层，其特征在于：在所述N型氮化镓层内部至少插入一个In_yGa_1-yN/AlN复合薄层，其中0＜y≤1，在所述P型氮化镓层内部至少插入一个AlN/In_zGa_1-zN复合薄层，其中0＜z≤1。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片结构，其特征在于：所述N型氮化镓层内部复合薄层和P型氮化镓层内部复合薄层中的AlN靠近多量子阱发光层。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片结构，其特征在于：插入所述N型氮化镓层内部的In_yGa_1-yN/AlN复合薄层个数为5~20，其中0＜y≤1，插入所述P型氮化镓层内部的AlN/In_zGa_1-zN复合薄层个数为5~20，其中0＜z≤1。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片结构，其特征在于：在所述衬底与N型氮化镓层之间还设置有Al_xGa_1-xN，其中0≤x≤1，缓冲层或/和非掺杂氮化镓层。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片结构，其特征在于：所述N型氮化镓层内部不同位置In_yGa_1-yN/AlN复合薄层和P型氮化镓层内部不同位置AlN/In_zGa_1-zN复合薄层，In浓度保持不变，即y、z保持恒定，或呈现依次线性递增或递减、或呈锯齿、矩形、高斯分布、阶梯状分布。

6.根据权利要求5所述的一种发光二极管外延片结构，其特征在于：所述In浓度通过温度或/和TMIn通入量进行控制。

7.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片结构，其特征在于：所述复合薄层中的InGaN或AlN厚度保持恒定或呈现依次线性递增或递减、或呈锯齿、矩形、高斯分布、阶梯状分布。

8.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片结构，其特征在于：所述N型氮化镓层内部In_yGa_1-yN/AlN复合薄层和P型氮化镓层内部AlN/In_zGa_1-zN复合薄层中AlN插入层用AlGaN或AlInGaN或AlInN替代。

9.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片结构，其特征在于：所述N型氮化镓层被In_yGa_1-yN/AlN复合薄层间隔开的同一子层之内、不同子层之间的Si掺浓度保持恒定或呈现依次线性递增或递减、或呈锯齿、矩形、高斯分布、阶梯状分布。

10.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片结构，其特征在于：所述P型氮化镓层被AlN/In_zGa_1-zN复合薄层间隔开的同一子层之内、不同子层之间的Mg掺浓度保持恒定或呈现依次线性递增或递减、或呈锯齿、矩形、高斯分布、阶梯状分布。