[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410682479.1 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105374881B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吕雅茹;吴国伟;曹文光;苏正芳;高金字 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉双;李岩 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法，该氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，包含于一基材上依序提供第一氧化物半导体层及导体层，导体层位于第一氧化物半导体层上。形成图案化光阻于导体层上。移除暴露于图案化光阻外的导体层及其下方的第一氧化物半导体层，以形成源极、漏极及图案化第一氧化物半导体层于源极及漏极的下方。形成图案化第二氧化物半导体层于源极与漏极之间，以接触图案化第一氧化物半导体层、源极及漏极。提供栅极。提供位于图案化第一氧化物半导体层及图案化第二氧化物半导体层与栅极之间的栅介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体层 导体层 图案化 漏极 源极 氧化物半导体薄膜 晶体管 图案化光 制造 接触图案 依序提供 栅介电层 基材 移除 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：于一基材上依序提供一第一氧化物半导体层及一导体层，该导体层位于该第一氧化物半导体层上；形成一图案化光阻于该导体层上；移除暴露于该图案化光阻外的该导体层及其下方的该第一氧化物半导体层，以形成一源极及一图案化第一氧化物半导体层于该源极的下方；形成一图案化第二氧化物半导体层于该源极及该图案化第一氧化物半导体层上，并接触该源极及该图案化第一氧化物半导体层；形成一绝缘层于该图案化第二氧化物半导体层及该源极上，其中该绝缘层具有一开口暴露出该图案化第二氧化物半导体层的一部分；形成一漏极于该绝缘层上，以使该漏极通过该开口与该图案化第二氧化物半导体层的该部分电性连接；提供一栅极；以及提供位于该图案化第一氧化物半导体层及该图案化第二氧化物半导体层与该栅极之间的一栅介电层。
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