[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：

于一基材上依序提供一第一氧化物半导体层及一导体层，该导体层位于该第一氧化物半导体层上；

形成一图案化光阻于该导体层上；

移除暴露于该图案化光阻外的该导体层及其下方的该第一氧化物半导体层，以形成一源极及一图案化第一氧化物半导体层于该源极的下方；

形成一图案化第二氧化物半导体层于该源极及该图案化第一氧化物半导体层上，并接触该源极及该图案化第一氧化物半导体层；

形成一绝缘层于该图案化第二氧化物半导体层及该源极上，其中该绝缘层具有一开口暴露出该图案化第二氧化物半导体层的一部分；

形成一漏极于该绝缘层上，以使该漏极通过该开口与该图案化第二氧化物半导体层的该部分电性连接；

提供一栅极；以及

提供位于该图案化第一氧化物半导体层及该图案化第二氧化物半导体层与该栅极之间的一栅介电层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，提供该栅介电层步骤是于依序提供该第一氧化物半导体层及该导体层步骤前进行，且于形成该漏极步骤之后，更包含：

形成一保护层于该绝缘层及该漏极上，其中该保护层具有一接触窗露出该漏极的一部分；以及

形成一像素电极于该保护层上，以使该像素电极通过该接触窗与该漏极的该部分电性连接。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，依序提供该第一氧化物半导体层及该导体层步骤更包含图案化该第一氧化物半导体层于提供该导体层之前。

4.一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包含：

一源极；

一氧化物半导体结构，该氧化物半导体结构具有一第一部分及一第四部分，该第一部分接触该源极并位于该源极的下方，该第四部分连接该第一部分，且延伸覆盖该源极的侧表面；

一绝缘层，设置于该氧化物半导体结构上，该绝缘层具有一开口暴露出该第四部分的一部分；

一漏极，设置于该开口内，以与该第四部分的该部分电性连接，该源极的该侧表面与该漏极彼此相对；

一栅极；以及

一栅介电层，设置于该氧化物半导体结构与该栅极之间。

5.如权利要求4所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，更包含：

一保护层，设置于该绝缘层及该漏极上，其中该保护层具有一接触窗露出该漏极的一部分；以及

一像素电极，设置于该保护层上且通过该接触窗以与该漏极的该部分电性连接。