[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
申请号: | 201410682247.6 | 申请日: | 2014-11-24 |
公开(公告)号: | CN104409411B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 刘张李 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 高静,骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法,半导体器件的形成方法包括提供第一、第二晶圆;形成若干沟槽;在第二晶圆上形成第一氧化物层;使第二晶圆与第一晶圆键合,以第一晶圆作为半导体器件的衬底,以第一氧化物层作为埋氧层,以第二晶圆作为用于形成器件的顶层硅。半导体器件包括衬底;位于衬底表面的第二氧化物层;第一氧化物层;第一、第二氧化物层共同构成埋氧层;衬底与埋氧层相对的第一面中具有若干沟槽;半导体器件还包括形成于埋氧层上的顶层硅。本发明的有益效果在于,在衬底靠近埋氧层的表面积累的载流子会被沟槽隔断,减小了载流子对电容的影响,进而减小埋氧层下界面可变电容的变化量,半导体器件的射频特性得到提升。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:提供第一晶圆以及第二晶圆;在所述第一晶圆的第一面中形成若干沟槽;在所述第二晶圆的第一面上形成第一氧化物层;使第二晶圆的第一氧化物层与所述第一晶圆的第一面键合,以所述第一晶圆作为半导体器件的衬底,以第一氧化物层作为埋氧层,以第二晶圆作为用于形成器件的顶层硅;其中,所述半导体器件衬底中的若干沟槽未穿通所述第一晶圆以提升所述半导体器件的射频性能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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