[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆以及第二晶圆；

在所述第一晶圆的第一面中形成若干沟槽；

在所述第二晶圆的第一面上形成第一氧化物层；

使第二晶圆的第一氧化物层与所述第一晶圆的第一面键合，以所述第一晶圆作为半导体器件的衬底，以第一氧化物层作为埋氧层，以第二晶圆作为用于形成器件的顶层硅；其中，所述半导体器件衬底中的若干沟槽未穿通所述第一晶圆以提升所述半导体器件的射频性能。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，第一晶圆的第一面中形成若干沟槽的步骤之后，使第一晶圆与第二晶圆键合的步骤之前，所述形成方法还包括：

至少在第一晶圆第一面的沟槽表面形成与所述第一氧化物层材料相同的第二氧化物层。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，至少在第一晶圆第一面的沟槽表面形成第二氧化物层的步骤中，

使所述第二氧化物层位于所述沟槽的侧壁以及底面；

或者，使所述第二氧化物层填充所述沟槽。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，采用热氧化或者化学气相沉积的方式形成所述第二氧化物层。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在第二晶圆的第一面上形成第一氧化物层的步骤包括：

采用化学气相沉积或者热氧化的方式形成所述第一氧化物层。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，将第二晶圆与第一晶圆键合的步骤之后，所述形成方法还包括：

剥离所述第二晶圆的第二面上部分厚度的第二晶圆材料，剩余的第二晶圆用于形成所述顶层硅。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，剥离第二晶圆第二面上部分厚度的第二晶圆材料的步骤包括：

在所述第二晶圆中形成一层氢离子掺杂层；

对所述第二晶圆进行退火，以使所述氢离子掺杂层转变为气泡层；

以所述气泡层作为分离层，剥离第二晶圆第二面上部分厚度的第二晶圆材料。

8.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在剥离部分厚度的第二晶圆材料的步骤之后，所述形成方法还包括：

对剩余的第二晶圆的表面进行平坦化处理。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底上的第二氧化物层；

形成于所述第二氧化物层上的第一氧化物层，所述第二氧化物层以及所述第一氧化物层共同构成埋氧层；所述衬底与埋氧层相对的第一面中具有若干沟槽；

所述半导体器件还包括形成于所述埋氧层上的用于形成器件的顶层硅；

其中，所述衬底中的若干沟槽未穿通所述衬底以提升所述半导体器件的射频性能。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第二氧化物层还位于与所述沟槽的侧壁以及底面，或者，所述第二氧化物层还填充于所述沟槽内。