[发明专利]一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的发光性能的调控方法有效

专利信息
申请号: 201410682116.8 申请日: 2014-11-24
公开(公告)号: CN104371720A 公开(公告)日: 2015-02-25
发明(设计)人: 年洪恩;周园;吴志坚;孙庆国;李翔;申月;海春喜;任秀峰;曾金波;董欧阳;云强;李松;张立娟 申请(专利权)人: 中国科学院青海盐湖研究所
主分类号: C09K11/78 分类号: C09K11/78
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 王宇杨;杨青
地址: 810008*** 国省代码: 青海;63
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摘要: 发明公开了一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的发光性能的调控方法,包括1)水溶性钇盐、水溶性铕盐、硼酸和醇的水溶液混合,所述醇和水混溶;2)向步骤2)得到的混合物中加入交联剂和螯合剂;3)步骤2)得到的混合物反应3~5h后静置24~48h;4)对硅底片进行镀膜,镀膜速率为0.88~1.52mm/s;5)镀膜后进行煅烧、退火,得到YBO3:Eu3+薄膜。本发明的优点在于:溶胶-凝胶浸渍提拉镀膜法制备YBO3:Eu3+纳米材料,具有设备简单、低成本、反应温度低、化学成分易控制、发光光谱可调控(橙色发光峰调弱、红色发光峰红移)的优势。
搜索关键词: 一种 掺杂 硼酸 薄膜 发光 性能 调控 方法
【主权项】:
一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的发光性能的调控方法,包括1)水溶性钇盐、水溶性铕盐、硼酸和醇的水溶液混合,所述醇和水混溶;2)向步骤2)得到的混合物中加入交联剂和螯合剂;3)步骤2)得到的混合物反应3~5h后静置24~48h;4)对硅底片进行镀膜,镀膜速率为0.88~1.52mm/s;5)镀膜后进行煅烧、退火,得到YBO3:Eu3+薄膜。
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