[发明专利]一种制备光电薄膜的方法有效
| 申请号： | 201410671275.8 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104465321B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 黎春喜;陈冲;李福民;翟勇 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙)41104 | 代理人： | 时立新 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备光电薄膜的方法，包括以下步骤将物质A溶于溶剂X中制成AX溶液，物质B溶于溶剂Y中制成BY溶液，向旋转中的基片上加入AX溶液和BY溶液生成物质C制备光电薄膜，以此为一个沉淀周期，可以根据所需光电薄膜的厚度选择合适的沉淀周期。本发明方法简单，操作方便，所有操作是在不加热源情况下进行的，能耗低、绿色环保，所得光电薄膜纯净、致密、平整，适合工业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 光电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备光电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将物质A溶于溶剂X中制成AX溶液，物质B溶于溶剂Y中制成BY溶液，其中，物质A和物质B反应生成具有光电特性的物质C，物质C在溶剂X或溶剂Y中均为沉淀；溶剂X与溶剂Y可以互溶；所述溶剂X和溶剂Y与基片具有亲和性；所述物质C为硫化银、硫化镉、硫化铅、三硫化二铟、三硫化二锑或者铜铟硫；（2）向旋转的基片上依次滴加AX溶液、溶剂X、BY溶液和溶剂Y生成物质C制备光电薄膜，以此为一个沉淀周期。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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