[发明专利]抑制双极化波导缝阵天线交叉极化的微波吸收结构和方法有效
| 申请号： | 201410669607.9 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105680180B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 方峪枫;鄢学全;袁渊 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 214063 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抑制双极化波导缝阵天线交叉极化的微波吸收结构，其特征在于，长方体的长度等于水平极化波导宽边缝阵(1)的单元数乘以半个波导波长；长方体的宽度小于垂直极化波导窄边缝阵(2)的缝隙到水平极化波导宽边缝阵(1)上表面的距离，长方体的厚度为在工作频带内的0.01至0.05个波长，长方体上面每隔半个波导波长剪去一个小长方体状的凹口，所剪去的凹口轮廓比波导窄边缝的轮廓大0.02至0.04个波长。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 极化 波导 天线 交叉 微波 吸收 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.抑制双极化波导缝阵天线交叉极化的微波吸收结构，其特征在于，微波吸收结构采用长方体，长方体的长度等于水平极化波导宽边缝阵(1)的单元数乘以半个波导波长；长方体的宽度小于垂直极化波导窄边缝阵(2)的缝隙到水平极化波导宽边缝阵(1)上表面的距离，长方体的厚度为在工作频带内的0.01至0.05个波长，长方体上面每隔半个波导波长剪去一个小长方体状的凹口，所剪去的凹口轮廓比波导窄边缝的轮廓大0.02至0.04个波长，所述微波吸收结构粘贴在垂直极化波导窄边缝阵(2)外表面与水平极化波导宽边缝阵(1)上表面相交的地方。
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