[发明专利]抑制双极化波导缝阵天线交叉极化的微波吸收结构和方法有效
| 申请号： | 201410669607.9 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105680180B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 方峪枫;鄢学全;袁渊 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 214063 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抑制 极化 波导 天线 交叉 微波 吸收 结构 方法 | ||
1.抑制双极化波导缝阵天线交叉极化的微波吸收结构，其特征在于，微波吸收结构采用长方体，长方体的长度等于水平极化波导宽边缝阵(1)的单元数乘以半个波导波长；长方体的宽度小于垂直极化波导窄边缝阵(2)的缝隙到水平极化波导宽边缝阵(1)上表面的距离，长方体的厚度为在工作频带内的0.01至0.05个波长，长方体上面每隔半个波导波长剪去一个小长方体状的凹口，所剪去的凹口轮廓比波导窄边缝的轮廓大0.02至0.04个波长，所述微波吸收结构粘贴在垂直极化波导窄边缝阵(2)外表面与水平极化波导宽边缝阵(1)上表面相交的地方。
2.抑制双极化波导缝阵天线交叉极化的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.1、微波吸收结构(3)的材料选取：微波吸收结构(3)材料的厚度为在工作频带内的0.01至0.05个波长，反射率在-10dB以下；
2.2、微波吸收结构(3)的初次裁剪：微波吸收结构(3)被裁剪成多条长方体，其数目等于垂直极化波导窄边缝阵(2)条数的2倍，每条长方体的长度等于垂直极化波导窄边缝阵(2)的单元数乘以半个波导波长；每条长方体的宽度小于垂直极化波导窄边缝阵(2)的缝隙到水平极化波导宽边缝阵(1)上表面的距离，厚度为微波吸收结构(3)材料本身的厚度；
2.3、微波吸收结构(3)的再次裁剪：在初次裁剪后的每条长方体上面每隔半个波导波长剪去一个小长方体状的凹口，所剪去的凹口内壁距离波导窄边缝为0.02至0.04个波长；
2.4、微波吸收结构(3)的粘贴：将再次裁剪后的长方体的较宽的一面粘贴在垂直极化波导窄边缝阵(2)的每条子阵波导两侧波导壁上，并且长方体较窄的一面粘贴在水平极化宽边缝阵波导上表面上。
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