[发明专利]预清洗半导体结构

摘要

本发明涉及一种预清洗半导体结构的方法及相关的模块化半导体处理工具。该方法包括步骤：i)提供具有有机介电材料的暴露的介电层的半导体结构，其中介电层具有形成于其中的一个或多个特征，该一个或多个特征暴露待被预清洗的一个或多个导电结构，其中每个导电结构都包括金属层，可选择地在金属层上形成有阻挡层，且介电层所暴露的表面积大于导电结构被介电层暴露的表面积；和ii)通过执行Ar/H2溅射刻蚀从暴露的导电结构移除材料并从暴露的介电层移除有机介电材料来预清洗半导体结构。

主权项

一种预清洗半导体结构的方法，包括步骤：i)提供具有有机介电材料的暴露的介电层的半导体结构，其中所述介电层具有形成于其中的一个或多个特征，所述一个或多个特征暴露了待被预清洗的一个或多个导电结构，其中每个导电结构都包括金属层，可选择地在所述金属层上形成有阻挡层，且所述暴露的介电层的表面积大于被所述介电层所暴露的导电结构的表面积；和ii)通过执行Ar/H₂溅射刻蚀以从所述暴露的导电结构移除材料并从所述暴露的介电层移除有机介电材料来预清洗所述半导体结构，其中步骤ii)使用Ar和H₂来执行，其中Ar∶H₂分压比率为1.0∶1或更小，更优选地小于0.5∶1，并且最优选地0.4∶1或更小。