[发明专利]预清洗半导体结构

权利要求书

1.一种预清洗半导体结构的方法，包括步骤：

i)提供具有有机介电材料的暴露的介电层的半导体结构，其中所述有机介电材料是有机聚合物以及所述介电层具有形成于其中的一个或多个特征，所述一个或多个特征暴露了待被预清洗的一个或多个导电结构，其中每个导电结构都包括金属或合金层，且所述暴露的介电层的表面积大于被所述介电层所暴露的导电结构的表面积；和

ii)通过执行Ar/H₂溅射刻蚀以从所述暴露的导电结构移除材料并从所述暴露的介电层移除有机介电材料来预清洗所述半导体结构，

其中步骤ii)使用Ar和H₂来执行，其中Ar∶H₂分压比率为1.0∶1或更小，以及

其中所述每个导电结构上都具有天然氧化物层，且步骤ii)包括通过从所述暴露的导电结构移除天然氧化物来预清洗所述半导体结构，

其中半导体结构被安装在压板组件的上部表面上，以及RF偏压源被施加于压板组件，以及其中在介电层的顶部没有其他层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤ii)使用Ar和H₂来执行，其中Ar∶H₂分压比率为0.5∶1或更小。

3.根据权利要求1所述的方法，其中步骤ii)使用Ar和H₂来执行，其中Ar∶H₂分压比率为0.4∶1或更小。

4.根据权利要求1所述的方法，其中步骤ii)使用Ar和H₂来执行，其中Ar∶H₂分压比率为0.1∶1或更大。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中所述有机介电材料是聚酰亚胺。

6.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中所述暴露的介电层的表面积与被所述介电层暴露的所述导电结构的表面积的比大于25∶1。

7.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中所述暴露的介电层的表面积与被所述介电层暴露的所述导电结构的表面积的比大于50∶1。

8.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中实施步骤ii)以从暴露的介电层移除达到至少10nm深度的有机介电材料。

9.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中在预清洗步骤ii)之前所述有机介电材料的介电层具有至少1微米的厚度。

10.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中所述金属层是铝或铜。

11.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，所述方法在预清洗处理室内实施，其中该方法进一步包括步骤：

iii)给所述预清洗处理室抽真空以达到预定的压力或更低。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述预定压力是1x10^-6托。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括步骤：

iv)传送所述半导体结构到下一个处理室，使得下一个处理步骤能够实施，其中所述半导体结构在预清洗处理室中获得所述预定的压力之后被传送。

14.根据权利要求13所述的方法，其中在步骤ii)中实施的预清洗产生CO，且在步骤iii)中实施的将处理室抽真空到预定压力包括获得1x10^-7托或更小的CO分压。

15.根据权利要求1所述的方法，其中每个导电结构包括其上形成有阻挡层的金属层。